♦ 강좌명 : 반도체성질 및 소자
♦ 강사 : 신형철 교수
♦ 교재 : 자체 제작 강의 자료
♦ 강좌 : 총 22 개 강좌
♦ 소개 : 반도체 소자의 대학원 과정으로, 응용 반도체 소자에 대한 심화과정을 학습한다.
커리큘럼
| 보호된 글: 1. 양자 역학 요소 (기본 가설) | 00:38:13 | ||
| 보호된 글: 2. 양자 역학 요소 (자유 입자) | 00:48:51 | ||
| 보호된 글: 3. 양자 역학(1차원 공간 안에 입자, Bloch 정리) | 01:03:52 | ||
| 보호된 글: 4. 에너지 밴드 이론 (Bloch정리, Kronig-penny 모델) | 01:01:54 | ||
| 보호된 글: 5. 에너지 밴드 이론 (캐리어와 전류) | 00:59:25 | ||
| 보호된 글: 6. 에너지 밴드 이론 (3차원으로의 확장, E-k다이어그램) | 01:10:07 | ||
| 보호된 글: 7. 양자 역학(3차원 유효질량) | 00:29:08 | ||
| 보호된 글: 8. 포논 특성 및 기본 이론 (포논의 기본 특성) | 01:02:05 | ||
| 보호된 글: 9. 포논 특성 및 기본 이론(간접적 전자 전이, 포논에 의한 캐리어 산란), 소자제조 기술(산화, 리소그래피) | 01:09:55 | ||
| 보호된 글: 10. 소자 제조 기술(도핑, 박막증착, 상호 연결-후미) | 01:13:55 | ||
| 보호된 글: 11. MOS 커패시터 (산화막 및 계면 전하, 트랩) | 01:04:13 | ||
| 보호된 글: 12. MOS 커패시터 (산화막 내부로의 터널링, 고온 캐리어 주입) | 00:53:35 | ||
| 보호된 글: 13. MOS 커패시터(강전계 효과, 게이트에 의한 드레인 누설 전류, 유전체 항복, 계면 트랩과 산화막 전하가 소자 특성에 미치는 영향) | 01:13:15 | ||
| 보호된 글: 14. MOSFET (속도 포화, 속도 포화를 포함한 IV 모델 ) | 01:20:23 | ||
| 보호된 글: 15. MOSFET (소오스-드레인 직렬 저항, SALICIDE, 유효채널 길이 추출, 속도오버슛, 높은 전계에서의 MOSFET 열화와 항복) | 01:28:44 | ||
| 보호된 글: 16. 집적회로에서의 MOSFET(소자 축소화, 문턱전압 이하 전류) | 00:55:44 | ||
| 보호된 글: 17. 집적회로에서의 MOSFET(문턱전압 이하 스윙, 문턱전압 roll-off, 게이트 누설전류) | 01:10:50 | ||
| 보호된 글: 18. 집적회로에서의 MOSFET(얇은 접합과 금속 소오스-드레인, Ion과 Ioff를 위한 설계, 얇은 바디 SOI, Multigate MOSFET 특성 및 기본 이론 (1)) | 01:19:31 | ||
| 보호된 글: 19. Multigate MOSFET 특성 및 기본 이론(2) | 01:00:56 | ||
| 보호된 글: 20. Simulation 1 | 00:54:58 | ||
| 보호된 글: 21. Simulation 2 | 00:43:19 | ||
| 보호된 글: 22. Measurement 1 | 01:17:16 |
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