♦ 강좌명 : 반도체 소자
♦ 강사 : 신형철 교수
♦ 교재 : 현대 반도체 소자 공학 (출판사: 한빛아카데미)
Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits
♦ 강좌 : 총 7개 Chapter, 49개 강좌
♦ 소개 : 기본 반도체 소자 및 특성에 대해 알아보고, 더 나아가 반도체 소자공학에 대한 최신 내용과 응용을 학습한다.
커리큘럼
| CHAPTER 1. 반도체 내의 전자와 정공 | |||
| 보호된 글: LECTURE 1-1. 실리콘 결정구조 | 00:26:03 | ||
| 보호된 글: LECTURE 1-2. 전자와 정공의 결합 모델 | 00:35:10 | ||
| 보호된 글: LECTURE 1-3. 에너지 밴드 모델 | 00:35:00 | ||
| 보호된 글: LECTURE 1-4. 반도체, 절연체, 도체 | 00:21:25 | ||
| 보호된 글: LECTURE 1-5. 전자 및 정공 | 00:29:14 | ||
| 보호된 글: LECTURE 1-6. 상태밀도 LECTURE 1-7. 열적 평형 상태와 페르미 함수 | 00:15:38 | ||
| 보호된 글: LECTURE 1-8. 전자와 정공의 농도 | 00:35:28 | ||
| 보호된 글: LECTURE 1-9. n과 p의 일반적 이론 | 00:40:55 | ||
| CHAPTER 2. 전자 및 정공의 운동과 재결합 | |||
| 보호된 글: LECTURE 2-1. 열 운동 | 00:09:50 | ||
| 보호된 글: LECTURE 2-2. 드리프트 | 01:06:15 | ||
| 보호된 글: LECTURE 2-3. 확산 전류 & LECTURE 2-4. 에너지 다이어그램과 V, E 간의 관계 | 00:24:42 | ||
| 보호된 글: LECTURE 2-5. D와 M간의 아인슈타인 관계식 | 00:31:09 | ||
| 보호된 글: LECTURE 2-6. 전자-정공 재결합 | 00:51:45 | ||
| 보호된 글: LECTURE 2-7.열 생성 & LECTURE 2-8. 유사 평형상태와 의사 페르미 준위 | 00:11:15 | ||
| CHAPTER 3. 소자 제조 기술 | |||
| 보호된 글: LECTURE 3-1. 소자 제조에 대한 서론 & LECTURE 3-2. 실리콘의 산화 | 00:14:41 | ||
| 보호된 글: LECTURE 3-3. 리소그래피 | 00:26:57 | ||
| 보호된 글: LECTURE 3-4. 패턴 전사-에칭 | 00:14:52 | ||
| 보호된 글: LECTURE 3-5. 도핑 | 00:11:59 | ||
| 보호된 글: LECTURE 3-6. 도펀트 확산 & LECTURE 3-7. 박막 증착 | 00:21:37 | ||
| 보호된 글: LECTURE 3-8. 상호 연결-후미(back-end) 공정 | 00:09:10 | ||
| 보호된 글: LECTURE 3-9. 테스팅, 조립, 그리고 검정(qualification) & LECTURE 3-10. 장 요약 – 소자 제조 예 | 00:12:57 | ||
| CHAPTER 4. PN 접합과 금속 - 반도체 접합 | |||
| 보호된 글: LECTURE 4-1. PN 접합 이론의 기초적 요소 | 00:17:07 | ||
| 보호된 글: LECTURE 4-2. 공핍층 모델 | 00:29:44 | ||
| 보호된 글: LECTURE 4-3. 역 바이어스된 PN 접합 | 00:26:04 | ||
| 보호된 글: LECTURE 4-4. 커패시턴스－전압 특성 | 00:09:38 | ||
| 보호된 글: LECTURE 4-5. 접합 항복 | 00:37:03 | ||
| CHAPTER 5. MOS 커패시터 | |||
| 보호된 글: LECTURE 5-1. 평탄 밴드 조건과 평탄 밴드 전압 | 00:56:12 | ||
| 보호된 글: LECTURE 5-2. 표면 축적 | 00:30:00 | ||
| 보호된 글: LECTURE 5-3. 표면 공핍 | 00:13:52 | ||
| 보호된 글: LECTURE 5-4. 문턱 조건 및 문턱 전압 | 00:41:34 | ||
| 보호된 글: LECTURE 5-5. 문턱 조건 이후의 강반전 | 00:32:51 | ||
| 보호된 글: LECTURE 5-6. MOS 커패시터의 C-V 특성 | 00:47:14 | ||
| 보호된 글: LECTURE 5-8. 폴리실리콘 게이트 공핍–유효 Tox의 증가 | 00:20:14 | ||
| 보호된 글: LECTURE 5-9. 반전 및 축적 전하층 두께와 양자역학적 효과 | 00:24:46 | ||
| CHAPTER 6. MOSFET | |||
| 보호된 글: LECTURE 6-1. MOSFET의 소개 & LECTURE 6-2. 상보형 MOSFET 기술 | 00:23:08 | ||
| 보호된 글: LECTURE 6-3. 표면 이동도와 고이동도 FET | 00:41:31 | ||
| 보호된 글: LECTURE 6-4. Vt 와 바디 효과 | 01:04:14 | ||
| 보호된 글: LECTURE 6-5. Qinv in MOSFET | 00:19:32 | ||
| 보호된 글: LECTURE 6-6. 기본적인 MOSFET IV 모델 | 00:27:44 | ||
| 보호된 글: LECTURE 6-8. 속도 포화 | 00:13:54 | ||
| 보호된 글: LECTURE 6-9. 속도 포화 현상이 있는 경우 MOSFET IV 모델 | 01:01:42 | ||
| 보호된 글: LECTURE 6-10. 기생 소스-드레인 저항 | 00:49:21 | ||
| 보호된 글: LECTURE 6-11. 속도 오버슛과 소오스 속도 한계 | 00:17:36 | ||
| CHAPTER 7. 집적회로에서의 MOSFET- 축소화, 누설전류 및 다른 토픽 | |||
| 보호된 글: LECTURE 7-1. 소자 축소화 – 가격, 속도 및 전력 소모 | 00:32:27 | ||
| 보호된 글: LECTURE 7-2. 문턱전압 이하 전류 | 00:40:04 | ||
| 보호된 글: LECTURE 7-3. Vt 롤 오프 | 00:40:01 | ||
| 보호된 글: LECTURE 7-4. 게이트 절연막의 전기적 두께 감소 및 터널링 누설 전류 | 00:14:52 | ||
| 보호된 글: LECTURE 7-5. 얕은 접합과 금속 소오스/드레인 & LECTURE 7-6. Ion과 Ioff의 절충 및 제조를 위한 설계 | 00:20:05 | ||
| 보호된 글: LECTURE 7-7. 극도로 얇은 바디 SOI 및 멀티게이트 MOSFET | 00:53:05 | ||
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